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DSS8110Y分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DSS8110Y
厂商型号

DSS8110Y

参数属性

DSS8110Y 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A SOT363

功能描述

100V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

125.19 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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DSS8110Y规格书详情

Features

• BVCEO > 100V

• IC = 1A high Continuous Collector Current

• ICM = 3A Peak Pulse Current

• RCE(sat) = 200mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 200mV @ 1A

• Complementary PNP Type Available (DSS9110Y)

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 产品编号:

    DSS8110Y-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    200mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 1A SOT363

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