DSS8110Y分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DSS8110Y |
| 参数属性 | DSS8110Y 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 1A SOT363 |
| 功能描述 | 100V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
125.19 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-28 23:01:00 |
| 人工找货 | DSS8110Y价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS8110Y规格书详情
DSS8110Y属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的DSS8110Y晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
• BVCEO > 100V
• IC = 1A high Continuous Collector Current
• ICM = 3A Peak Pulse Current
• RCE(sat) = 200mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 200mV @ 1A
• Complementary PNP Type Available (DSS9110Y)
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
产品属性
更多- 产品编号：
DSS8110Y-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，10V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
SOT-363
- 描述：
TRANS NPN 100V 1A SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
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DIODES(美台) |
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DIODES/美台 |
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SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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SOT-363 |
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DIODES/美台 |
24+ |
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DIODESINCORPORATED |
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DIODE |
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SOT-363 |
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DIODES/美台 |
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SMD |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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