DSS8110Y分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
DSS8110Y |
参数属性 | DSS8110Y 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A SOT363 |
功能描述 | 100V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
125.19 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | DIODES |
中文名称 | 美台半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-6 23:00:00 |
人工找货 | DSS8110Y价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS8110Y规格书详情
DSS8110Y属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DSS8110Y晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
特性 Features
• BVCEO > 100V
• IC = 1A high Continuous Collector Current
• ICM = 3A Peak Pulse Current
• RCE(sat) = 200mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 200mV @ 1A
• Complementary PNP Type Available (DSS9110Y)
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
产品属性
更多- 产品编号:
DSS8110Y-7
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
200mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 500mA,10V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SOT-363
- 描述:
TRANS NPN 100V 1A SOT363
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
SOT3236 |
7350 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
1181 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
25+ |
SOT-363 |
54648 |
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询价 | ||
DIODESINCORPORATED |
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DIODES/美台 |
21+ |
SOT-363 |
8080 |
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DIODE |
24+ |
SOT-363 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
DIODES |
19+ |
SOT-363 |
200000 |
都会1C051房间库存 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-363 |
8080 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
DIODES(美台) |
2447 |
SOT-363 |
105000 |
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询价 | ||
DIODES |
23+ |
SOT-363 |
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询价 |