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DSS60600MZ4分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
DSS60600MZ4 |
| 参数属性 | DSS60600MZ4 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T |
| 功能描述 | 60V PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 文件大小 |
603.2 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-5 13:31:00 |
| 人工找货 | DSS60600MZ4价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS60600MZ4规格书详情
DSS60600MZ4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DSS60600MZ4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
DSS60600MZ4Q-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
350mV @ 600mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223-3
- 描述:
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-223 |
60000 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
21+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-223 |
47186 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Diodes(美台) |
2021/2022+ |
标准封装 |
12000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
DIODESINCORPORATED |
2418+ |
N/A |
23566 |
原装优势现货!一片起卖!可开专票! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
850 |
SOT223 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
原装DIODES |
19+ |
SOT-223 |
20000 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
2511 |
SOT223 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-223 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |

