DSS20201L分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DSS20201L |
| 参数属性 | DSS20201L 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 20V 2A SOT23-3 |
| 功能描述 | LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
126.99 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-21 23:00:00 |
| 人工找货 | DSS20201L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS20201L规格书详情
Features
• Ideal for Medium Power Amplification and Switching
• Complementary PNP Type Available (DSS20200L)
• Ultra Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)
• “Green” Device (Note 2)
产品属性
- 产品编号：
DSS20201L-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
100mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 20V 2A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
SOT23 |
7350 |
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DIODES/美台 |
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DIODES |
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SOT23 |
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24+ |
SOT23 |
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DIODES |
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SOT23 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA |
3000 |
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DIODES |
23+ |
SOT-23 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
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Diodes(美台) |
23+ |
NA |
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DIODES/美台 |
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NA |
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询价 |
