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DSS20200L分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DSS20200L
厂商型号

DSS20200L

参数属性

DSS20200L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2A SOT23-3

功能描述

LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

120.68 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES

中文名称

Diodes Incorporated官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-19 23:00:00

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DSS20200L规格书详情

Features

• BVCEO > -20V

• IC = -2A Continuous Collector Current

• ICM = -4A Peak Pulse Current

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -120mV @ -1A

• RCE(SAT) = 40mΩ for a low equivalent on-resistance

• Complimentary NPN Type : DSS20201L

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 产品编号:

    DSS20200L-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    180mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 20V 2A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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