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DSK10E-ET1中文资料DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

DSK10E-ET1

参数属性

DSK10E-ET1 封装/外壳为R-1,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

功能描述

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

封装外壳

R-1,轴向

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 10:06:00

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DSK10E-ET1规格书详情

简介

DSK10E-ET1属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的DSK10E-ET1二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DSK10E-ET1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值)

    :400V

  • 电流 - 平均整流(Io)

    :1A

  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf

    :1.1V @ 1A

  • 速度

    :标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流

    :10µA @ 400V

  • 不同 Vr,F 时的电容

    :-

  • 安装类型

    :通孔

  • 封装/外壳

    :R-1(轴向)

  • 供应商器件封装

    :-

  • 工作温度 - 结

    :150°C(最大)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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