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FM5821	文件：69.28 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM5821A	文件：29.82 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT3.0Amperes	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM5821-AL	文件：69.3 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype 3.0ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers-20V-40V	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM5821-AL	文件：166.28 Kbytes Page：7 Pages	ChipSchottkyBarrierRectifier	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM5821-ALN	文件：70.15 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM5821-AN	文件：70.05 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM5821B	文件：30.74 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT3.0Amperes	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM5821L	文件：420.75 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT3.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
HM5821	文件：690.22 Kbytes Page：7 Pages	3Aswitchcharging,2.4AsynchronousboostmobilepowersupplydedicatedmanagementIC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IN5821	文件：122.53 Kbytes Page：1 Pages	3.0AmpBARRIERSCHOTTKYRECTIFIERS Features ■EXTREMELYLOWVF ■LOWPOWERLOSS-HIGHEFFICIENCY ■LOWSTOREDCHARGE;MAJORITYCARRIERCONDUCTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

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产品属性

产品编号：
DSB5821/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/620
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
B，D-5D
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

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