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DSA7506R0L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 25V 3A MINIP3	PanasonicElectronicComponents Panasonic Electronic Components	PanasonicElectronicComponents
EH7506B	文件：80.27 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEBRIDGEMODULES SinglePhaseBridgeModules ●InternalTransientSupression ●HighTerminal-to-baseIsolationof2500VACRMS ●Availableto1200V ●MountingBoltsIsolationFromPowerTeminals	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ENN7506	文件：32.619 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
GXO-7506G	文件：594.94 Kbytes Page：5 Pages	7550PackageUltra-LowJitter1.8VOscillator	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
GXO-7506J	文件：595.29 Kbytes Page：5 Pages	7550PackageUltra-LowJitter2.5VOscillator	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
GXO-7506L	文件：595.14 Kbytes Page：5 Pages	7550PackageUltra-LowJitter3.3VOscillator	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
HM7506	文件：411.35 Kbytes Page：5 Pages	Programmablelinearconstantcurrentcontroller	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IRF7506	文件：103.43 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V,Rds(on)=0.27ohm) VDSS=-30V RDS(on)=0.27Ω Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPow	IRF International Rectifier	IRF
IRF7506	文件：210.51 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=-30V,RDS(on)=O.27ohm) VDSS=-30V RDS(on)=0.27Ω Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPow	IRF International Rectifier	IRF
IRF7506PBF	文件：215.79 Kbytes Page：8 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
DSA7506R0L
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
270mV @ 25mA，1.4A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
130 @ 1.4A，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
迷你型P3-F2-B
描述：
TRANS PNP 25V 3A MINIP3

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