3.3V Single-Piece 16Mb Nonvolatile SRAM with Clock

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美信

3.3V Single-Piece 16Mb Nonvolatile SRAM with Clock

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美信

3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM，带有时钟

DS3070W由一个静态RAM、一个非易失(NV)控制器、一个2000年兼容的实时时钟(RTC)和一个内部可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加电时，模块对ML电池充电，同时使用外部电源为时钟和SRAM供电，并允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时，控制器即对存储器内容实施写保护，并改由电池为时钟和SRAM供电。DS3070W还含有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。 \n• 集成实时时钟 \n• VCC超出容限后无条件对SRAM实施写保护 \n• 内部电源检测器监测电源是否低于VCC额定值(3.3V) \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

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亚德诺

Package：256-BGA；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 256BGA

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