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DS28E80Q+T	文件：769.74 Kbytes Page：28 Pages	Gamma Radiation Resistant 1-Wire Memory General Description The DS28E80 is a user-programmable nonvolatile memory chip. In contrast to the floating-gate storage cells, the DS28E80 employs a storage cell technology that is resistant to gamma radiation. The DS28E80 has 248 bytes of user memory that are organized in blocks of 8 bytes. 文件：769.74 Kbytes 页数：28 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
DS28E80Q+U	文件：769.74 Kbytes Page：28 Pages	Gamma Radiation Resistant 1-Wire Memory General Description The DS28E80 is a user-programmable nonvolatile memory chip. In contrast to the floating-gate storage cells, the DS28E80 employs a storage cell technology that is resistant to gamma radiation. The DS28E80 has 248 bytes of user memory that are organized in blocks of 8 bytes. 文件：769.74 Kbytes 页数：28 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
DS28E80Q+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-WDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TDFN	AD 亚德诺	AD
DS28E80Q+U	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-WDFN 裸露焊盘；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC EEPROM 2KBIT 1-WIRE 6TDFN	AD 亚德诺	AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	DS28E80Q+U	ADI(亚德诺)	25+	6-TDFN(3x3)	22412	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	DS28E80Q+U	Maxim	24+	SMD	15600	电可擦除可编程只读存储器	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	DS28E80Q+U	Maxim Integrated	24+	6-TDFN-EP(3x3)	56200	一级代理/放心采购	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	DS28E80Q+U	Maxim	1931+	N/A	567	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	DS28E80Q+U	MAXIM	25+	DFN-6	1001	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市正纳电子有限公司	DS28E80Q+U	Maxim(美信)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	DS28E80Q+U	Maxim	22+	6TDFNEP	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市旺财半导体有限公司	DS28E80Q+U	MAXIM	23+		35500		询价
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更多DS28E80Q供应商更新时间2026-3-18 16:12:00