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G276P	文件：223.49 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryOutputHallEffectLatchedSinkDriverIC	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
G276P	文件：226.02 Kbytes Page：5 Pages	ComplementaryOutputHallEffectLatchedSinkDriverIC	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
HSB276AS	文件：23.83 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforBalancedMixer Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •HSB276ASwhichisinterconnectedinseriesconfigurationisdesignedforbalancedmixeruse. •CMPAKpackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSB276AS	文件：149.81 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforBalancedMixer Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •HSB276ASwhichisinterconnectedinseriesconfigurationisdesignedforbalancedmixeruse. •CMPAKpackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HSB276AS	文件：44.78 Kbytes Page：1 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •HSB276ASwhichisinterconnectedinseriesconfigurationisdesignedforbalancedmixeruse. •CMPAKpackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HSB276AYP	文件：33.8 Kbytes Page：5 Pages	SILICONSCHOTTKYBARRIERDIODEFORHIGHSPEEDSWITCHING Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •CMPAK-4Packageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSB276AYP	文件：148.33 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •CMPAK-4Packageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HSB276S	文件：27.18 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforBalancedMixer Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •HSB276Swhichisinterconnectedinseries configurationisdesignedforbalancedmixeruse. •CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSB276S	文件：64.91 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetectorandMixer Features •Highforwardcurrent,Lowcapacitance. •HSB276Swhichisinterconnectedinseries configurationisdesignedforbalancedmixeruse. •CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HSB276S	文件：44.06 Kbytes Page：1 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features ●Highforwardcurrent,Lowcapacitance. ●HSB276Swhichisinterconnectedinseries configurationisdesignedforbalancedmixeruse. ●CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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产品属性

产品编号：
DS276S
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 驱动器，接收器，收发器
包装：
管件
类型：
收发器
协议：
RS232
驱动器/接收器数：
1/1
双工：
完全版
数据速率：
20kbps
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC TRANSCEIVER FULL 1/1 8SOIC

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