DS25LV02中文资料低电压1024位EPROM数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
DS25LV02 |
| 参数属性 | DS25LV02 封装/外壳为SOT-23-5 细型，TSOT-23-5；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC EPROM 1KBIT 1-WIRE TSOT23-5 |
| 功能描述 | 低电压1024位EPROM |
| 封装外壳 | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 13:28:00 |
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DS25LV02规格书详情
描述 Description
DS25LV02为电池包提供数据存储和序列号识别。低压Dallas 1-Wire®接口使电池包通过单个触点进行串行通信成为可能，64位唯一序列号允许器件构建多点网络，并可唯一识别每个器件。器件的1024位EPROM存储器分成4个页面，每页包含32字节，可用于存储电池包特性、充电记录、电流和温度参数以及电池制造商信息，CRC校验保证数据通信的完整性。可对内部EPROM进行写操作，每一页可以单独锁定提供数据保护。DS25LV02可向下兼容于现有的DS2502设计。
特性 Features
• 128字节EPROM存储器划分成4个可单独锁定的页面
• 向下兼容DS2502
• Dallas 1-Wire接口
• 输入I/O兼容1.8V电源逻辑
• 唯一的64位序列号
• 工作VDD可低至2.2V
• 纤小的薄型SOT23封装
应用 Application
• 蜂窝电话/智能电话
• 数码相机
• MP3播放器
简介
DS25LV02属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS25LV02存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号：
DS25LV02R+T&R
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
EPROM
- 技术：
EPROM - OTP
- 存储容量：
1Kb（1K x 1）
- 存储器接口：
1-Wire®
- 电压 - 供电：
2.2V ~ 5.5V
- 工作温度：
-30°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
- 供应商器件封装：
TSOT-23-5
- 描述：
IC EPROM 1KBIT 1-WIRE TSOT23-5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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