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IRFU2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount(IRFR2407)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407	文件：140.18 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
IRFU2407	文件：3.72412 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description TheD-Pakisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestraightleadversion(IRFUseries)isforthroughholemountingapplications.Powerdissipationlevelsupto1.5wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. •Surfa	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407	文件：129.34 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.026ohm,Id=42A?? Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU2407PBF	文件：4.00895 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407PBF	文件：4.02405 Mbytes Page：10 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU2407PBF	文件：385.68 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SeventhGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
KA2407	文件：157.44 Kbytes Page：4 Pages	LinearIntergratedCircuit	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
LM2407	文件：1.08347 Mbytes Page：13 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM2407	文件：361.99 Kbytes Page：9 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM2407T	文件：361.99 Kbytes Page：9 Pages	MonolithicTriple7.5nSCRTDriver	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MC2407	文件：244.97 Kbytes Page：3 Pages	OpenCarrierDouble-BalancedMixerForMicrowaveTelecommunications	MACOM Tyco Electronics	MACOM
MC2407	文件：95.78 Kbytes Page：3 Pages	OpenCarrierDouble-BalancedMixerForMicrowaveTelecommunications Description TheMC2407isadoublebalancedmixer,designedforuseinmilitary,commercialandtestequipmentapplications.ThedesignutilizesSchottkyringquaddiodesandbroadbandsoftdielectricandferritebalunstoattainexcellentperformance.Thismixercanalsobeusedasaphasedet	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MGF2407	文件：87.09 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
MGF2407A	文件：87.09 Kbytes Page：2 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
MGF2407A	文件：369.05 Kbytes Page：3 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET? DESCRIPTION TheMGF2407A,powerGaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinStoKubandamplifiers. APPLICATION StoKubandpoweramplifiers.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
NJM2407	文件：184.98 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-SUPLLYDUALCOMPARATOR	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
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NTE2407	文件：23.8 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPTransistorGeneralPurposeAmp,SurfaceMount(CompltoNTE2406) SiliconPNPTransistorGeneralPurposeAmp,SurfaceMount(CompltoNTE2406) AbsoluteMaximumRatings:(TA=+25°Cunlessotherwisespecified) Collector–BaseVoltage,VCBO...............................60V Collector–EmitterVoltage,VCEO..........	NTE NTE Electronics, Inc	NTE

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详细参数

型号：
DS2407P
制造商：
DALLAS
制造商全称：
Dallas Semiconductor
功能描述：
Dual Addressable Switch Plus 1K.Bit Memory

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	DS2407P	DALLAS	06+	原厂原装	4293	只做全新原装真实现货供应	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	DS2407P	DALLAS	21+		35200	一级代理/放心采购	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	DS2407P-02D	N/A	23+	原厂正规渠道	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市永贝尔科技有限公司	DS2408	MAXIM	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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