Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM

文件：430.18 Kbytes 页数：12 Pages

Maxim

美信

High efficacy in a 3535 package with full range of CCTs and CRIs

文件：2.65322 Mbytes 页数：25 Pages

LUMILEDS

可编程直流电源

DS2000系列开关式可编程直流电源是采用PWM技术的高频开关式直流电源，模块化设计，采用先进的DSP数字控制技术，具有恒压、恒流、恒功率模式输出，可自动交叉变换，维持控制与保护兼顾特性，确保直流电源输出的高精度、低纹波、电压电流动态响应速度快，且效率高达93%；与传统的可控硅电源相比较，高频开关式直流电源具有体积小，重量轻，纹波小，功率因数高、稳定性好等优点，特别是高电压输出稳定性尤其明显；产品主要定位于电子电力生产、蓄电池行业、PCB板制造行业及通讯、PLC供电、机电老化试验、直流电机测试、自动测试系统整合、电池充电及模拟、混合动力汽车与光伏逆变器测试研究单位、实验室对高精度直流电 ◇采用高速DSP进行PID运算,直接输出PWM,模块化设计，高功率密度、体积小、大大降低故障率;\n◇控制电路采用高速CPU,稳压精度高，纹波小;\n◇采用16bit高速ADC,快速精确测量电压、电流值;\n◇具有恒压、恒流、恒功率模式输出，可自动交叉变换，维持控制与保护兼顾特性;\n◇具有过压、过流、过温、短路保护功能，在系统中，可开启过压(OVP),过流(OCP),并可对数值进行修改;\n◇具有9组记忆，可以将常用的参数(电压、电流)设定，方便使用时调用，一次可执行100组不同电压、电流、 \n◇功率、上升时间、运行时间设定，并可连续做999999次循环测试。运行时间最短可以设定;

JETHLEY

吉事励电子

单芯片、256k位非易失SRAM

DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2030有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2030还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。 \n• 单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装 \n• 内部ML电池和充电器 \n• VCC超出容限后，对SRAM无条件写保护 \n• VCC电源失效后，自动切换到电池供电 \n• 内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10% \n• 复位输出可用作微处理器的CPU监视器 \n• 工业级温度范围(-40°C至+85°C);

ADI

亚德诺

Package：256-BGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA

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亚德诺

Package：256-BGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA

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Package：256-BGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA

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