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DS1330YL-100	文件：219.54 Kbytes Page：9 Pages	256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION TheDS1330256KNonvolatileSRAMsare262,144–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsbyeightbits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1330YL-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：34-LPM 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1330YL-100-IND	文件：219.54 Kbytes Page：9 Pages	256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION TheDS1330256KNonvolatileSRAMsare262,144–bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsbyeightbits.EachNVSRAMhasaself–containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout–of–tolerancecondition.Whensuchacondit	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas

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256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

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包装：管件封装/外壳：34-LPM 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1330YL-100-IND

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256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

Dallas

Dallas Semiconductor Corp.

Dallas

产品属性

产品编号：
DS1330YL-100
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
34-LPM
供应商器件封装：
34-LPM
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 34LPM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DS1330YL-100供应商更新时间2024-4-29 16:18:00

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