DS1330Y数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF

描述 Description

DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，DS1330器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1330器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

特性 Features

• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 当VCC电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
• 电池监视器核查剩余电量
• 100ns的读写存取时间
• 没有写次数限制
• 典型待机电流50µA
• 可升级32k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• ±10% VCC工作范围(DS1330Y)或±5% VCC工作范围(DS1330AB)
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
• PowerCap模块(PCM)封装
• 表面贴装模块
• 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
• 所有NV SRAM器件提供标准引脚
• 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

简介

DS1330Y属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS1330Y存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。