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DS1330ABP-70	文件：191.48 Kbytes Page：11 Pages	256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION The DS1330 256k NV SRAMs are 262,144-bit, fully static, NV SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithiu 文件：191.48 Kbytes 页数：11 Pages	Dallas	Dallas
DS1330ABP-70	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-PowerCap™ 模块；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP	AD 亚德诺	AD
DS1330ABP-70-IND	文件：191.48 Kbytes Page：11 Pages	256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor DESCRIPTION The DS1330 256k NV SRAMs are 262,144-bit, fully static, NV SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the lithiu 文件：191.48 Kbytes 页数：11 Pages	Dallas	Dallas
DS1330ABP-70IND	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-PowerCap™ 模块；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP	AD 亚德诺	AD
DS1330ABP-70IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：34-PowerCap™ 模块；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP	AD 亚德诺	AD

产品属性

产品编号：
DS1330ABP-70
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
34-PowerCap™ 模块
供应商器件封装：
34-PowerCap 模块
描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP

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