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DS1270W-100IND集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

DS1270W-100IND
厂商型号

DS1270W-100IND

参数属性

DS1270W-100IND 封装/外壳为36-DIP 模块(0.610",15.49mm);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

功能描述

3.3V 16Mb Nonvolatile SRAM

封装外壳

36-DIP 模块(0.610",15.49mm)

文件大小

194.41 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Dallas Semiconductor
企业简称

DALLAS亚德诺

中文名称

亚德诺半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 22:50:00

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产品属性

  • 产品编号:

    DS1270W-100IND

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    16Mb(2M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    100ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    36-DIP 模块(0.610",15.49mm)

  • 供应商器件封装:

    36-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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