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DS1245YP-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：34-PowerCap™ 模块类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1245YP-100-IND	文件：221.24 Kbytes Page：12 Pages	1024k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS12451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuc	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1245YP-100+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：34-PowerCap™ 模块类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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DS1245YP-100

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包装：管件封装/外壳：34-PowerCap™ 模块类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

DS1245YP-100-IND

文件：221.24 Kbytes

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1024k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuc

Dallas

Dallas Semiconductor Corp.

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DS1245YP-100+

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

产品属性

产品编号：
DS1245YP-100
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
34-PowerCap™ 模块
供应商器件封装：
34-PowerCap 模块
描述：
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	DS1245YP-100	DALLAS	06+	模块/34	3	全新原装绝对有货	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	DS1245YP-100	DALLAS	08+	DIP	875		询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	DS1245YP-100	MaximIntegratedProducts	2022	ICNVSRAM1MBIT100NS34PCM	5058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	DS1245YP-100	DALLAS	23+	DIP-8	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多DS1245YP-100供应商更新时间2024-4-30 10:48:00

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