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DS1245Y-70

1024k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuc

Dallas

Dallas Semiconductor Corp.

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DS1245Y-70

1024k Nonvolatile SRAM

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美信半导体

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DS1245Y-70

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DS1245Y-70

包装:管件 封装/外壳:32-DIP 模块(0.600",15.24mm) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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DS1245Y-70+

1024k Nonvolatile SRAM

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美信半导体

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DS1245Y-70IND

1024k Nonvolatile SRAM

MaximMaximIntegrated

美信半导体

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DS1245Y-70IND+

1024k Nonvolatile SRAM

MaximMaximIntegrated

美信半导体

Maxim

DS1245Y-70IND

包装:管件 封装/外壳:32-DIP 模块(0.600",15.24mm) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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DS1245Y-70IND+

包装:托盘 封装/外壳:32-DIP 模块(0.600",15.24mm) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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产品属性

  • 产品编号:

    DS1245Y-70

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    32-DIP 模块(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    32-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DS1245Y-70供应商 更新时间2024-4-28 16:29:00