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DS1245AB-120IND

Package:32-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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亚德诺

DS1245AB-120IND+

Package:32-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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亚德诺

DS1245AB-120

SEMICONDUCTORS

文件:2.43533 Mbytes 页数:31 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

DS1245AB-120

1024k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1245 1024k Nonvolatile SRAMs are1,048,576-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 131,072 words by 8 bits. Each complete NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When suc

文件:221.24 Kbytes 页数:12 Pages

Dallas

产品属性

  • 产品编号:

    DS1245AB-120IND

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    120ns

  • 电压 - 供电:

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    32-DIP 模块(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    32-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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更多DS1245AB-120IND供应商 更新时间2025-12-12 17:00:00