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DS1220Y-150集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

DS1220Y-150
厂商型号

DS1220Y-150

参数属性

DS1220Y-150 封装/外壳为24-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装为散装;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

功能描述

16k Nonvolatile SRAM

封装外壳

24-DIP 模块(0.600",15.24mm)

文件大小

144.55 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Dallas Semiconductor
企业简称

DALLAS亚德诺

中文名称

亚德诺半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 10:11:00

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DS1220Y-150规格书详情

DESCRIPTION

The DS1220Y 16k Nonvolatile SRAM is a 16,384-bit, fully static, nonvolatile RAM organized as 2048

words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry that

constantly monitor VCCfor an out-of-tolerance condition.

FEATURES

10 years minimum data retention in the absence of external power

Data is automatically protected during power loss

Directly replaces 2k x 8 volatile static RAM or EEPROM

Unlimited write cycles

Low-power CMOS

JEDEC standard 24-pin DIP package

Read and write access times as fast as 100 ns

Full ±10 operating range

Optional industrial temperature range of

-40°C to +85°C, designated IND

产品属性

  • 产品编号:

    DS1220Y-150+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    150ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    24-DIP 模块(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    24-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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