DS1200中文资料串行RAM芯片数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
DS1200 |
| 参数属性 | DS1200 封装/外壳为16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 1KBIT I2C 4MHZ 16SOIC |
| 功能描述 | 串行RAM芯片 |
| 封装外壳 | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
| 人工找货 | DS1200价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DS1200规格书详情
描述 Description
DS1200串行RAM芯片是一个微型读/写存储器，能够随机存取单个8位数据串(字节)或连续存取1024位数据块(突发模式)。片内电路降低了与微处理器的接口成本，仅需CLK、/RST及DQ三个信号便可实现数据传输。
在电池输入端VBAT接入一个2V至4V的电池便可获得非易失性。对于要求一定数据保持时间的应用可以按照0.5µA负载确定外部电池的容量。如果不要求非易失性，VBAT引脚应接地。
特性 Features
• 1024位读/写存储器
• 对于备用电池应用提供极低的数据保持电流
• 每秒四百万比特的数据率
• 具有单字节或多字节数据传输能力
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS电路
应用 Application
• 自动系统设置
• 校准器
• 计算机识别
• 安全人员区域
• 软件授权
• 系统接入控制
• 旅行工作记录
简介
DS1200属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS1200存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号：
DS1200
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM
- 存储容量：
1Kb（1K x 1）
- 存储器接口：
I²C
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装：
16-SOIC
- 描述：
IC SRAM 1KBIT I2C 4MHZ 16SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
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Maxim |
22+ |
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