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DS1-12D分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

DS1-12D

参数属性

DS1-12D 封装/外壳为径向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL

功能描述

Rectifier Diode Avalanche Diode
DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL

封装外壳

径向

文件大小

34.46 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 12:00:00

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DS1-12D规格书详情

DS1-12D属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由艾赛斯制造生产的DS1-12D二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

VRRM = 1200-1800 V

IF(RMS) = 7 A

IF(AV)M = 2.3 A

特性 Features

● Plastic standard package

● Planar glassivated chips

Applications

● Low power rectifiers

● Field supply for DC motors

● Power supplies

● High voltage rectifiers

Advantages

● Space and weight savings

● Simple PCB mounting

● Improved temperature and power cycling

● Reduced protection circuits

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DS1-12D

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    2.3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL

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