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DRV593EVM	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装功能：半 H 桥驱动器（内部 FET）类别：开发板，套件，编程器评估和演示板及套件描述：EVAL MOD FOR DRV593	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
593	文件：623.24 Kbytes Page：31 Pages	ADS1131REFandADS1231REF	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
593D	文件：438.84 Kbytes Page：18 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitorsTANTAMOUNT®,MoldedCase,LowESR FEATURES •LowESR •Moldedcaseavailableinfivecasecodes •Terminations:100mattetin,standard,tin/leadavailable •Highripplecurrentcarryingcapability •Compatiblewith“HighVolume”automaticpickandplaceequipment •Moisturesensitivitylevel1 •Compliantterminations •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
593D	文件：565.94 Kbytes Page：18 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
593D	文件：148.57 Kbytes Page：11 Pages	SolidTantalumChipCapacitorsTantamountCommercial,SurfaceMountforSwitchModePowerSuppliesandConverters	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
593D	文件：117.01 Kbytes Page：6 Pages	SolidTantalumSurfaceMountCapacitorsTANTAMOUNT®,MoldedCase,LowESR	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
593D	文件：477.07 Kbytes Page：19 Pages	SolidTantalumSurfaceMountChipCapacitorsTANTAMOUNT™,MoldedCase,LowESR FEATURES •LowESR •Moldedcaseavailableinfivecasecodes •Terminations:100mattetinstandard, tin/leadavailable •Highripplecurrentcarryingcapability •Compatiblewith“highvolume”automaticpick andplaceequipment •QualifiedtoEIA-717 •Moisturesensitivitylevel1 •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
AN593	文件：56.04 Kbytes Page：4 Pages	ST62in-circuitprogramming	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
ASITPV593	文件：20.62 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASITPV593isaCommonEmitterDeviceDesignedforClassAHighLinearityTelevisionBandIVandVTransmitterApplications. FEATURESINCLUDE: •GoldMetalization •EmitterBallasting •HighGain	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
BF593	文件：49 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaTO-202;SOT128Bplasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.150mA) •Highvoltage(max.210V). APPLICATIONS •Telephonesystems.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C593	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) •Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CP593	文件：50.78 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistorsPNP-Amp/SwitchTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize19x19MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea3.5x4.3MILS EmitterBondingPadArea3.5x4.5MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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DRV593VFPR	文件：798.25 Kbytes Page：27 Pages	3?묨HIGH?묮FFICIENCYPWMPOWERDRIVER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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ECG593	文件：169.13 Kbytes Page：3 Pages	DiodesandRectifiers(GeneralPurpose)	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FCX593	文件：1.73982 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor Features ●AsComplementaryTypeoftheNPNTransistor FCX493isRecommended ●LowSaturationVoltage ●HighCurrent	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
FCX593	文件：20.58 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR SOT89Siliconplanarhighvoltagetransistor Complementarypartnumber-FMMT493 Devicemarking-P93	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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产品属性

产品编号：
DRV593EVM
制造商：
Texas Instruments
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估和演示板及套件
包装：
散装
类型：
电源管理
功能：
半 H 桥驱动器（内部 FET）
使用的 IC/零件：
DRV593
所含物品：
板
描述：
EVAL MOD FOR DRV593

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市兴灿科技有限公司	DRV593EVM	TI	23+	原厂封装	6940	优势现货	询价
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深圳市易讯博科技有限公司	DRV593EVM		22+	NA	3	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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更多DRV593EVM供应商更新时间2024-5-15 9:18:00

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