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DRV5032FADBZT	文件：1.38603 Mbytes Page：34 Pages	丝印：2FA；Package：SOT-23；Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.38603 Mbytes 页数：34 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5032FADBZT	文件：1.72779 Mbytes Page：40 Pages	丝印：1LVW；Package：SOT-23；DRV5032 Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.72779 Mbytes 页数：40 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5032FADBZT	文件：1.33158 Mbytes Page：30 Pages	Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.33158 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5032FADBZT	文件：1.64706 Mbytes Page：33 Pages	Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.64706 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5032FADBZT	文件：1.5915 Mbytes Page：37 Pages	丝印：1LVW；Package：SOT-23；DRV5032 Ultra-Low-Power Digital-Switch Hall Effect Sensor 文件：1.5915 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
DRV5032FADBZT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带功能：全极开关类别：传感器，变送器磁性传感器 - 开关（固态）描述：MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
DRV5032FADBZT
制造商：
Texas Instruments
类别：
传感器，变送器 > 磁性传感器 - 开关（固态）
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
功能：
全极开关
技术：
霍尔效应
极化：
北极，南极
感应范围：
±3mT 跳闸，±1.5mT 释放
测试条件：
25°C
电压 - 供电：
1.65V ~ 5.5V
电流 - 供电（最大值）：
3.5µA
电流 - 输出（最大值）：
5mA
输出类型：
推挽式
特性：
睡眠模式
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-23-3
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
描述：
MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3

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