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DRDNB26W数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

DRDNB26W

参数属性

DRDNB26W 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363

功能描述

multi-chip

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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DRDNB26W规格书详情

特性 Features

Epitaxial Planar Die ConstructionOne Transistor and One Switching Diode in One PackageLead Free By Design/RoHS Compliant \"Green\" Device

技术参数

  • 制造商编号

    :DRDNB26W

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • R1 / R2 (KΩ)

    :No KΩ

  • MaximumVCEO/VCC (V)

    :50 V

  • MaximumIO/IC (mA)

    :600 mA

  • Packages

    :SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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