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DRA5114E0L数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

DRA5114E0L

参数属性

DRA5114E0L 封装/外壳为SC-85;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

功能描述

DRA5114E Silicon PNP epitaxial planar type

封装外壳

SC-85

制造商

Panasonic Panasonic Semiconductor

中文名称

松下 松下电器

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    DRA5114E0L

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-85

  • 供应商器件封装:

    SMini3-F2-B

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Panasonic(松下)
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