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DRA2113Z0L

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

PANASONIC

松下

EG2113D

High-power MOS transistor, IGBT transistor gate driver chip

Features ◼ High-end suspension bootstrap power supply design, withstand voltage up to 600V ◼ Integrated internal bootstrap diode,fewer peripheral devices ◼ Maximum frequency support 500KHZ ◼ Low-side VDD voltage range 3.3 V-5V ◼ Low-side VCC voltage range 10V-20V ◼ Output current capability

文件:980.66 Kbytes 页数:14 Pages

EGMICRO

屹晶微电子

EMC2113

RPM-Based Fan Controller with Multiple Temperature Zones & Hardware Thermal Shutdown

文件:1.29907 Mbytes 页数:85 Pages

SMSC

SMSC Corporation

EMC2113

RPM-Based Fan Controller with Multiple Temperature Zones & Hardware Thermal Shutdown

文件:1.19154 Mbytes 页数:88 Pages

MICROCHIP

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    DRA2113Z0L

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    MINI3-G3-B

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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