DPPM10S39K-F_电容器 薄膜电容器高频,开关;高脉冲,DV/DT;吸收电路-CDE

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原厂料号:DPPM10S39K-F品牌:Cornell Dubilier Electronics (CDE)

资料说明:CAP FILM 0.039UF 10% 1KVDC RAD

DPPM10S39K-F是电容器 > 薄膜电容器。制造商CDE/Cornell Dubilier Electronics生产封装径向的DPPM10S39K-F薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。

  • 芯片型号:

    dppm10s39k-f

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    CDE详情

  • 厂商全称:

    Cornell Dubilier Electronics

  • 资料说明:

    CAP FILM 0.039UF 10% 1KVDC RAD

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    DPPM10S39K-F

  • 制造商:

    Cornell Dubilier Electronics (CDE)

  • 类别:

    电容器 > 薄膜电容器

  • 系列:

    DPPM

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±10%

  • 额定电压 - AC:

    450V

  • 额定电压 - DC:

    1000V(1kV)

  • 介电材料:

    聚丙烯(PP),金属化

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向

  • 大小 / 尺寸:

    1.220" 长 x 0.551" 宽(31.00mm x 14.00mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    0.906"(23.00mm)

  • 端接:

    PC 引脚

  • 引线间距:

    1.043"(26.50mm)

  • 应用:

    高频,开关;高脉冲,DV/DT;吸收电路

  • 描述:

    CAP FILM 0.039UF 10% 1KVDC RAD

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