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DPLS350E分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DPLS350E
厂商型号

DPLS350E

参数属性

DPLS350E 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 3A SOT223-3

功能描述

LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

140.32 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-3 11:22:00

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DPLS350E规格书详情

特性 Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications

• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)

• Green Device (Note 2)

产品属性

  • 产品编号:

    DPLS350E-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 3A SOT223-3

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