DP83826E中文资料具有 MII 接口和 ENHANCED 模式的低延迟 10/100Mbps 以太网 PHY数据手册TI规格书

厂商型号 |
DP83826E |
参数属性 | DP83826E 封装/外壳为32-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的控制器;产品描述:LOW COST ENET PHY INDUSTRIAL |
功能描述 | 具有 MII 接口和 ENHANCED 模式的低延迟 10/100Mbps 以太网 PHY |
封装外壳 | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
制造商 | TI Texas Instruments |
中文名称 | 德州仪器 美国德州仪器公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-17 18:36:00 |
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DP83826E规格书详情
描述 Description
DP83826 能够提供很低的确定性延迟和低功耗,并支持 10BASE-Te、100BASE-TX 以太网协议,可以满足实时工业以太网系统中的严格要求。该器件包含可实现快速链接的硬件自举、快速链路丢弃检测模式以及用于对系统上的其他模块进行时钟同步的专用参考 CLKOUT。
两种可配置模式为:使用通用以太网引脚的 BASIC 标准以太网模式,以及支持标准以太网模式和多个工业以太网现场总线应用(通过附加功能和硬件自举配置)的 ENHANCED 以太网 模式 。
特性 Features
• 较低的确定性延迟
• 电源循环上的确定性延迟
• 用于增强 EMC 的集成电路
• IEC 61000-4-4 EFT:5kHz、100kHz 下为 ±4kV
• CISPR 22 辐射发射 B 类
• 电压模式线路驱动器
• 电压容差:±10%
• 单个器件中具有两种可选引脚模式
• 用于通用以太网引脚的 BASIC 模式
• 低功耗
• 3.3V 单电源
• RMII 背对背中继器模式
• DP83826I 工作温度范围:–40°C 至 85°C
• 符合 IEEE 802.3 标准:10BASE-Te、100BASE-TX
技术参数
- 制造商编号
:DP83826E
- 生产厂家
:TI
- Interface type
:MII
- Number of ports
:Single
- Rating
:Catalog
- Features
:Single supply
- Supply voltage (V)
:3.3
- IO supply (Typ) (V)
:1.8
- Operating temperature range (C)
:-40 to 105
- Cable length (m)
:150
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州 |
2021 |
VQFN32 |
500 |
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询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+/25+ |
10000 |
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TI(德州仪器) |
2024+ |
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500000 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
VQFN32 |
500 |
原装货 |
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NA |
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TI/德州仪器 |
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3000 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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TI/德州仪器 |
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TI |
24+ |
VQFN-32 |
5000 |
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