DNLS160V中文资料LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DNLS160V |
| 参数属性 | DNLS160V 封装/外壳为SOT-563，SOT-666；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 1A SOT563 |
| 功能描述 | LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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DNLS160V规格书详情
简介
DNLS160V属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的DNLS160V晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
DNLS160V-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 1mA，5V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：
SOT-563
- 描述：
TRANS NPN 60V 1A SOT563
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
4520 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
源装DIODES |
25+ |
SOT563 |
3000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
DIODES |
08+ |
SOT563 |
1270 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
DIODES |
19+ |
SOT-23 |
200000 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
2450+ |
SOT563 |
8850 |
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询价 | ||
Diodes |
24+ |
SOT-563 |
7500 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
Diodes Incorporated |
25+ |
SOT-563 SOT-666 |
9350 |
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询价 | ||
DIODES |
24+ |
SOT-23 |
9000 |
原装现货假一赔十 |
询价 |
