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ShieldedSurfaceMountPowerInductors | MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所 | MuRata | ||
DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=6.9A(VGS=10V) ●RDS(ON) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
Phasecontrolthyristor | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司 | LUGUANG | ||
DualN&P-Channel,LogicLevelMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
265mWat3.3VSupplyAudioPowerAmplifierwithShutdownMode | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
265mWat3.3VSupplyAudioPowerAmplifierwithShutdownMode | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
265mWat3.3VSupplyAudioPowerAmplifierwithShutdownMode | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
LM4900BoomerAudioPowerAmplifierSeries265mWat3.3VSupplyAudioPowerAmplifier | TI1Texas Instruments 德州仪器 | TI1 | ||
265mWat3.3VSupplyAudioPowerAmplifierwithShutdownMode | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | NSC | ||
Bi-CMOSLSIClass-DAudioPowerAmplifierBTL10W횞2ch Overview TheLV4900Hisa10Wperchannelstereodigitalpoweramplifierthattakesanaloginputs.TheLV4900HusesuniqueSANYO-developedfeedbacktechnologytoachieveexcellentaudioqualitydespitebeingaclassDamplifierandcanbeusedtoimplementhighqualityflatdisplaypanel(FDP)ba | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | SANYO |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NAXIM |
23+ |
SOP-8 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
NAXIM |
23+ |
SOP-8 |
121212 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
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