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DMT6016LPSW中文资料60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMT6016LPSW规格书详情
描述 Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
特性 Features
•100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production – Ensures More Reliable and Robust End Application
•Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses
•Fast Switching Speed
•Wettable Flank for Improved Optical Inspection
应用 Application
•Synchronous Rectifier
•Power Management Functions
•DC-DC Converters
技术参数
- 制造商编号
：DMT6016LPSW
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：No Y/N
- VDS
：60 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：11.2 A
- IDS @ TC = +25°C
：43 A
- PD @ TA = +25°C
：2.84 W
- PD @ TC = +25°C
：41.67 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：16.5 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：26 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：2.5 V
- CISS Typ
：864 pF
- CISS Condition [@VDS]
：30 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：8.4 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：17
- Packages
：Related ContentQuality Documentation
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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