首页>DMT4S1K-F>规格书详情

DMT4S1K-F电容器的薄膜电容器规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

DMT4S1K-F

参数属性

DMT4S1K-F 封装/外壳为径向;包装为散装;类别为电容器的薄膜电容器;DMT4S1K-F应用范围:通用;产品描述:CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

功能描述

Type DMT, Polyester Film Capacitors
CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

封装外壳

径向

文件大小

195.32 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

CDE

网址

网址

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-10-11 9:23:00

人工找货

DMT4S1K-F价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

DMT4S1K-F规格书详情

DMT4S1K-F属于电容器的薄膜电容器。由Cornell Dubilier Electronics制造生产的DMT4S1K-F薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DMT4S1K-F

  • 制造商:

    Cornell Dubilier Electronics (CDE)

  • 类别:

    电容器 > 薄膜电容器

  • 系列:

    DMT

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±10%

  • 额定电压 - AC:

    200V

  • 额定电压 - DC:

    400V

  • 介电材料:

    聚酯,金属化

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向

  • 大小 / 尺寸:

    0.567" 长 x 0.331" 宽(14.40mm x 8.40mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    0.551"(14.00mm)

  • 端接:

    PC 引脚

  • 引线间距:

    0.402"(10.20mm)

  • 应用:

    通用

  • 描述:

    CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
24+
NA/
11050
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
Diodes(美台)
24+
NA/
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
DIODES
23+
UDFN6
3600
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号
询价
Diodes(美台)
23+
标准封装
12000
正规渠道,只有原装!
询价
DIODES/美台
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
询价
DIODES/美台
22+
6-UDFN2020
25000
只有原装绝对原装,支持BOM配单!
询价
DIODES/美台
24+
UDFN20206
8000
新到现货,只做全新原装正品
询价
24+
N/A
69000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
DIODES/美台
23+
U-DFN2020-6(TypeF)
12000
原装正品假一罚百!可开增票!
询价
DIODES/美台
24+
DFN
60000
全新原装现货
询价