DMT4S1K-F电容器的薄膜电容器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DMT4S1K-F |
| 参数属性 | DMT4S1K-F 封装/外壳为径向；包装为散装；类别为电容器的薄膜电容器；DMT4S1K-F应用范围：通用；产品描述：CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD |
| 功能描述 | General Purpose, High Peak Currents, High Insulation Resistance |
| 封装外壳 | 径向 |
| 文件大小 |
64.26 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | CDE |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-6 16:34:00 |
| 人工找货 | DMT4S1K-F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DMT4S1K-F规格书详情
DMT4S1K-F属于电容器的薄膜电容器。由Cornell Dubilier Electronics制造生产的DMT4S1K-F薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。
产品属性
更多- 产品编号：
DMT4S1K-F
- 制造商：
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 类别：
电容器 > 薄膜电容器
- 系列：
DMT
- 包装：
散装
- 容差：
±10%
- 额定电压 - AC：
200V
- 额定电压 - DC：
400V
- 介电材料：
聚酯，金属化
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
径向
- 大小 / 尺寸：
0.567" 长 x 0.331" 宽（14.40mm x 8.40mm）
- 高度 - 安装（最大值）：
0.551"（14.00mm）
- 端接：
PC 引脚
- 引线间距：
0.402"（10.20mm）
- 应用：
通用
- 描述：
CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
23+ |
标准封装 |
12000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
DIODES |
23+ |
UDFN6 |
3600 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
UDFN20206 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
UDFN20206 |
20000 |
询价 | |||
DIODES/美台 |
2447 |
UDFN20206 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Diodes Incorporated |
2022+ |
6-UDFN 裸露焊盘 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
22+ |
6-UDFN2020 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
20+ |
DFN3.3x3.3 |
120000 |
只做原装 可免费提供样品 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3333 |
986966 |
国产 |
询价 |
