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DMT4P1K中文资料薄膜电容数据手册CDE规格书

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厂商型号

DMT4P1K

参数属性

DMT4P1K 封装/外壳为径向;包装为散装;类别为电容器的薄膜电容器;DMT4P1K应用范围:通用;产品描述:CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

功能描述

薄膜电容
CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

封装外壳

径向

制造商

CDE Cornell Dubilier Electronics

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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DMT4P1K规格书详情

简介

DMT4P1K属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的DMT4P1K薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    DMT4P1K

  • 制造商:

    Cornell Dubilier Electronics (CDE)

  • 类别:

    电容器 > 薄膜电容器

  • 系列:

    DMT

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±10%

  • 额定电压 - AC:

    200V

  • 额定电压 - DC:

    400V

  • 介电材料:

    聚酯,金属化

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向

  • 大小 / 尺寸:

    0.882" 长 x 0.472" 宽(22.40mm x 12.00mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    0.763"(19.37mm)

  • 端接:

    PC 引脚

  • 引线间距:

    0.732"(18.60mm)

  • 应用:

    通用

  • 描述:

    CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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