DMT4P1K中文资料薄膜电容数据手册CDE规格书
DMT4P1K规格书详情
简介
DMT4P1K属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的DMT4P1K薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。
技术参数
更多- 产品编号:
DMT4P1K
- 制造商:
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 类别:
电容器 > 薄膜电容器
- 系列:
DMT
- 包装:
散装
- 容差:
±10%
- 额定电压 - AC:
200V
- 额定电压 - DC:
400V
- 介电材料:
聚酯,金属化
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
径向
- 大小 / 尺寸:
0.882" 长 x 0.472" 宽(22.40mm x 12.00mm)
- 高度 - 安装(最大值):
0.763"(19.37mm)
- 端接:
PC 引脚
- 引线间距:
0.732"(18.60mm)
- 应用:
通用
- 描述:
CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
11050 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
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Diodes(美台) |
23+ |
标准封装 |
12000 |
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Diodes(美台) |
23+ |
NA |
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CORNELL DUBILIER |
2450+ |
SOP |
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Cornell-Dubilier |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
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DIODES/美台 |
23+ |
NA |
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DIODES/美台 |
23+ |
UDFN20206 |
20000 |
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DIODES/美台 |
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