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DMT32M4LFG中文资料30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMT32M4LFG

功能描述

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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DMT32M4LFG规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :DMT32M4LFG

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :30 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @TA = +25°C

    :N/A A

  • PD @TA = +25°C

    :N/A W

  • RDS(ON)Max @ VGS(10V)

    :1.7 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)

    :2.8 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V

    :35.4 nC

  • QG Typ@ VGS = 10V(nC)

    :75 nC

  • Packages

    :PowerDI3333-8

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