DMT2S1K-F电容器的薄膜电容器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DMT2S1K-F |
| 参数属性 | DMT2S1K-F 封装/外壳为径向；包装为托盘；类别为电容器的薄膜电容器；DMT2S1K-F应用范围：通用；产品描述：CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD |
| 功能描述 | General Purpose, High Peak Currents, High Insulation Resistance |
| 封装外壳 | 径向 |
| 文件大小 |
64.26 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Cornell Dubilier Electronics |
| 企业简称 |
CDE |
| 中文名称 | Cornell Dubilier Electronics官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-4 23:00:00 |
| 人工找货 | DMT2S1K-F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DMT2S1K-F规格书详情
DMT2S1K-F属于电容器的薄膜电容器。由Cornell Dubilier Electronics制造生产的DMT2S1K-F薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。
产品属性
更多- 产品编号：
DMT2S1K-F
- 制造商：
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 类别：
电容器 > 薄膜电容器
- 系列：
DMT
- 包装：
托盘
- 容差：
±10%
- 额定电压 - AC：
125V
- 额定电压 - DC：
250V
- 介电材料：
聚酯，金属化
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
径向
- 大小 / 尺寸：
0.512" 长 x 0.236" 宽（13.00mm x 6.00mm）
- 高度 - 安装（最大值）：
0.488"（12.40mm）
- 端接：
PC 引脚
- 引线间距：
0.394"（10.00mm）
- 应用：
通用
- 描述：
CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
PowerDI50608 |
7350 |
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询价 | ||
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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DIODES/美台 |
19+ |
POWERDI5060-8 |
880000 |
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DIODES/美台 |
22+ |
PowerDI5060-8(TypeK) |
90000 |
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DIODES/美台 |
24+ |
PDI50608 |
25500 |
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DIODES(美台) |
2447 |
PowerDI5060-8 |
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CDE |
23+ |
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Diodes Incorporated |
2022+ |
8-PowerTDFN |
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DIODES |
23+ |
POWERDI3333-8 |
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DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
88800 |
DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
