DMT2S1K-F电容器的薄膜电容器规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
DMT2S1K-F |
| 参数属性 | DMT2S1K-F 封装/外壳为径向;包装为托盘;类别为电容器的薄膜电容器;DMT2S1K-F应用范围:通用;产品描述:CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD |
| 功能描述 | Polyester Film Capacitors General Purpose, High Peak Currents, High Insulation Resistance |
| 封装外壳 | 径向 |
| 文件大小 |
375.12 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | CDE |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-17 20:00:00 |
| 人工找货 | DMT2S1K-F价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
DMT2S1K-F规格书详情
DMT2S1K-F属于电容器的薄膜电容器。由Cornell Dubilier Electronics制造生产的DMT2S1K-F薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。
产品属性
更多- 产品编号:
DMT2S1K-F
- 制造商:
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 类别:
电容器 > 薄膜电容器
- 系列:
DMT
- 包装:
托盘
- 容差:
±10%
- 额定电压 - AC:
125V
- 额定电压 - DC:
250V
- 介电材料:
聚酯,金属化
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
径向
- 大小 / 尺寸:
0.512" 长 x 0.236" 宽(13.00mm x 6.00mm)
- 高度 - 安装(最大值):
0.488"(12.40mm)
- 端接:
PC 引脚
- 引线间距:
0.394"(10.00mm)
- 应用:
通用
- 描述:
CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
88800 |
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询价 | ||
CDE |
23+ |
NA |
1256 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2450+ |
QFN |
6540 |
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DIODES/美台 |
19+ |
POWERDI5060-8 |
880000 |
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询价 | ||
Diodes |
22+ |
8PowerTDFN |
9000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
PowerDI5060-8(TypeK) |
12000 |
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询价 | ||
DIODES |
ROHS+Original |
POWERDI5060-8 |
25890 |
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DIODES(美台) |
2447 |
PowerDI5060-8 |
105000 |
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询价 | ||
Diodes Incorporated |
2022+ |
8-PowerTDFN |
38550 |
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询价 |

