DMT1S33K-F_电容器 薄膜电容器通用-CDE

原厂料号：DMT1S33K-F品牌：Cornell Dubilier Electronics (CDE)

资料说明：CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD

DMT1S33K-F是电容器 > 薄膜电容器。制造商CDE/Cornell Dubilier Electronics生产封装径向的DMT1S33K-F薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。

• 芯片型号：

  dmt1s33k-f

• 规格书：

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• 企业简称：

  CDE详情

• 厂商全称：

  Cornell Dubilier Electronics

• 资料说明：

  CAP FILM 0.033UF 10% 100VDC RAD