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DMT1S15K-F数据手册电容器的薄膜电容器规格书PDF
DMT1S15K-F规格书详情
简介
DMT1S15K-F属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的DMT1S15K-F薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。
技术参数
更多- 制造商编号
：DMT1S15K-F
- 生产厂家
：CDE
- Capacitance
：15 nF
- VoltageDC
：100V
- VoltageAC
：65V
- ESR
：—
- dV/dt
：4550
- RippleCurrent
：—
- MinTemp
：-55°C
- MaxTemp
：125°C
- Tolerance
：-10%/+10%
- LoadLife
：—
- Width
：—
- Height
：9.4mm
- Length
：13mm
- Thickness
：5.6mm
- Diameter
：—
- LeadSpacing
：10mm
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
23+ |
NA |
20094 |
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Diodes Incorporated |
21+ |
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DIODES/美台 |
23+ |
NA |
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Diodes |
22+ |
6UDFN |
9000 |
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Diodes Incorporated |
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CDE |
23+ |
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NK/南科功率 |
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U-DFN2020-6 |
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DIODES/美台 |
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DFN2020-6 |
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Cornell |
22+ |
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