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DMP2160UFDB中文资料Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMP2160UFDB

参数属性

DMP2160UFDB 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET P-CH SOT23

功能描述

Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
MOSFET P-CH SOT23

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 10:45:00

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DMP2160UFDB规格书详情

简介

DMP2160UFDB属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的DMP2160UFDB晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DMP2160UFDB

  • 生产厂家

    :Diodes

  • AutomotiveCompliantPPAP

    :DMP2160UFDBQ

  • Polarity

    :P+P

  • ESDDiodes

    :No

  • VDS

    :20V

  • VGS

    :12±V

  • IDS@TA=+25°C

    :3.8A

  • PD@TA=+25°C

    :1.4W

  • RDS(ON)Max@VGS(10V)

    :N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(4.5V)

    :70mΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(2.5V)

    :85mΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(1.8V)

    :N/AmΩ

  • VGS(th)Max

    :0.9V

  • QGTyp@VGS=4.5V(nC)

    :6.5nC

  • QGTyp@VGS=10V(nC)

    :N/AnC

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