DMN5L06VK中文资料DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN5L06VK规格书详情
简介
DMN5L06VK属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的DMN5L06VK晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：DMN5L06VK
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：DMN5L06VKQ
- Polarity
：N+N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：50 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：0.28 A
- PD @ TA = +25°C
：0.25 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：5000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：1 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：N/A nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：N/A nC
- Packages
：SOT563
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