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DMN5L06VAK-7中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

DMN5L06VAK-7

功能描述

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

158.31 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 16:01:00

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DMN5L06VAK-7规格书详情

特性 Features

• Dual N-Channel MOSFET

• Low On-Resistance

• Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

• Ultra-Small Surface Mount Package

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• ESD Protected up to 2kV

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 型号:

    DMN5L06VAK-7

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 280mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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