DMN52D0LT中文资料50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN52D0LT规格书详情
描述 Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
技术参数
- 制造商编号
：DMN52D0LT
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)
：Standard
- Polarity
：N
- ESD Diodes (Y|N)
：Y
- |VDS| (V)
：50 V
- |VGS| (±V)
：12 ±V
- |IDS| @TA = +25°C (A)
：0.35@5V A
- PD @TA = +25°C (W)
：0.5 W
- RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)
：2000@5V mΩ
- RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)
：2500 mΩ
- RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)
：4000 mΩ
- |VGS(TH)| Min (V)
：0.49 V
- |VGS(TH)| Max (V)
：1.2 V
- QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC)
：0.8 nC
- QG Typ @ |VGS| = 10V (nC)
：1.5 nC
- CISS Typ (pF)
：40 pF
- CISS Condition @|VDS| (V)
：25 V
- Packages
：SOT523
