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DMN3112S-7中文资料PDF规格书

DMN3112S-7
厂商型号

DMN3112S-7

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件大小

144.85 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 ZP Semiconductor
企业简称

ZPSEMI

中文名称

ZP Semiconductor官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-5 22:30:00

DMN3112S-7规格书详情

Features

• Low On-Resistance:

57mΩ @ VGS = 10V

112mΩ @ VGS = 4.5V

• Low Gate Threshold Voltage

• Low Input Capacitance

• Fast Switching Speed

• Low Input/Output Leakage

• Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)

• Green Device (Note 2)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 型号:

    DMN3112S-7

  • 功能描述:

    MOSFET 1.4W 30V 5.8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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