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DMN2991UDR4中文资料Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN2991UDR4

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 15:15:00

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DMN2991UDR4规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN2991UDR4

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :N+N

  • ESD Diodes (Y|N)

    :Y

  • |VDS| (V)

    :20 V

  • |VGS| (±V)

    :8 ±V

  • |IDS| @TA = +25°C (A)

    :0.5 A

  • PD @TA = +25°C (W)

    :0.7 W

  • RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)

    :990 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)

    :1200 mΩ

  • RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)

    :1800 mΩ

  • |VGS(TH)| Min (V)

    :0.4 V

  • |VGS(TH)| Max (V)

    :1 V

  • QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC)

    :0.28 nC

  • CISS Typ (pF)

    :14.6 pF

  • CISS Condition @|VDS| (V)

    :16 V

  • Packages

    :X2-DFN1010-6 (Type UXC)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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