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DMJ65H650SCTI数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

DMJ65H650SCTI

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 16:52:00

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DMJ65H650SCTI规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

•100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production
•Low Input Capacitance
•High BVDSS Rating for Power Application
•Low Input/Output Leakage

应用 Application

• Motor Control

• Backlighting

• DC-DC Converters

• Power Management Functions

技术参数

  • 制造商编号

    :DMJ65H650SCTI

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :650 V

  • VGS

    :30 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :N/A A

  • IDS @ TC = +25°C

    :10 A

  • PD @ TA = +25°C

    :N/A W

  • PD @ TC = +25°C

    :31 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :600 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :4 V

  • CISS Typ

    :639 pF

  • CISS Condition [@VDS]

    :100 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :12.9 nC

  • Packages

    :ITO220AB (Type TH)

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