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DME375A	文件：347.42 Kbytes Page：4 Pages	375 Watts, 50 Volts, Pulsed Avionics 1025-1150 MHz GENERALDESCRIPTION TheDME375AisahighpowerCOMMONBASEbipolartransistor.Itisdesignedforpulsedsystemsinthefrequencyband1025-1150MHz.Thedevicehasgoldthin-filmmetallizationforprovenhighestMTTF.Thetransistorincludesinputandoutputprematchforbroadbandcapability.	GHZTECH GHz Technology	GHZTECH
DME375A	文件：186.24 Kbytes Page：3 Pages	375WATTS 50VOLTS 1025/1150MHz AVIONICS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
DME375A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：55AW；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ESFT375	文件：475.07 Kbytes Page：2 Pages	VitreousEnamelPower	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
ESFT375	文件：403.94 Kbytes Page：2 Pages	Euro-PowerWirewoundSeries	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
ESRT375	文件：403.94 Kbytes Page：2 Pages	Euro-PowerWirewoundSeries	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
ESRT375	文件：475.07 Kbytes Page：2 Pages	VitreousEnamelPower	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE
ET375	文件：106.51 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLEDIFFUSEDPLANERTYPEHIGHPOWERDARLINGTON	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
EVAL-ADXL375Z	文件：534.08 Kbytes Page：32 Pages	3-Axis,200gDigitalAccelerometer GENERALDESCRIPTION TheADXL375isasmall,thin,3-axisaccelerometerthatprovideslowpowerconsumptionandhighresolutionmeasurementupto±200g.Thedigitaloutputdataisformattedas16-bit,twoscomplementdataandisaccessiblethroughaSPI(3-or4-wire)orI2Cdigitalinterface.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EVAL-ADXL375Z-M	文件：534.08 Kbytes Page：32 Pages	3-Axis,200gDigitalAccelerometer GENERALDESCRIPTION TheADXL375isasmall,thin,3-axisaccelerometerthatprovideslowpowerconsumptionandhighresolutionmeasurementupto±200g.Thedigitaloutputdataisformattedas16-bit,twoscomplementdataandisaccessiblethroughaSPI(3-or4-wire)orI2Cdigitalinterface.	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

产品属性

产品编号：
DME375A
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
频率 - 跃迁：
1.025GHz ~ 1.15GHz
增益：
6.5dB
功率 - 最大值：
375W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 300mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55AW
供应商器件封装：
55AW
描述：
RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW

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